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第十五届全国MOCVD学术会议在井冈山盛大召开

时间:2018年8月24日 17:02   来源:中国半导体照明网   作者:中国半导体照明网   浏览数:481次
聚焦MOCVD与智能光电 共话半导体产业新发展
第十五届全国MOCVD学术会议在井冈山盛大召开
 

   三十年的传承与积淀,两年一次的相聚与畅谈,是重逢,更是见证!8月22日,第十五届全国MOCVD学术会议在红色革命根据地井冈山衡山大酒店盛大开幕。
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  中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授,中国科学院院士、中科院微电子所刘明研究员,MOCVD技术的开拓者之一、美国科学院院士佐治亚理工学院Russell Dupuis教授,科技部高新司原司长、第三代半导体产业技术创新战略联盟顾问委员会常务副主任赵玉海先生,科技部高新司副司长曹国英先生,科技部高技术中心副主任卞曙光先生,科技部高技术中心材料处处长史冬梅女士,科技部高新司材料处调研员李志农先生,国家自然科学基金委信息四处处长潘庆先生,江西省科技厅副厅长赵金城先生,中国有色金属学会副理事长兼秘书长张洪国先生,中国有色金属学会常务副秘书长金锐先生,国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲女士,厦门大学校长张荣教授,南昌大学校长周创兵教授,半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中科院半导体所李晋闽研究员,发光学及应用国家重点实验室主任,中科院长春光机物理所申德振研究员,北京大学沈波教授,山东大学徐现刚教授,中科院苏州纳米所徐科研究员,此外还有葛惟昆教授、范广涵教授、杜国同教授、张国义教授、王向武教授等等一批业界资深教授和一大批优秀中青年学者出席本次会议。来自MOCVD技术领域国内外顶级专家、机构嘉宾、学者、企业家代表500余人参与本次学术盛会。大会开幕式由南昌大学副校长江风益教授主持。
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南昌大学副校长江风益教授主持开幕式
 
  “一代材料,一代器件,一代工艺,一代装备”。古往今来,国与国之争,实质是装备制造业之争。装备强则国强。当前阶段,高端装备与核心装置是“大国重器”,是我国成为制造强国的基础。中美贸易战开始以来,高端装备之争更是上升为大国之间博弈的核心和不可或缺的利器。
 
  尤其在《中国智能制造“十三五”规划》中提出十大重点任务,其中一个就是加快智能制造装备发展,攻克关键技术装备,提高质量和可靠性,推进在重点领域的集成应用。政府还要推动重点领域智能转型,在《中国制造2025》十大重点领域试点建设数字化车间/智能工厂,在传统制造业推广应用数字化技术、系统集成技术、智能制造装备。到2020年,我国将建立完善的智能制造装备产业体系,实现装备的智能化及制造过程的自动化。
 
  本届会议由国家科学技术部指导,江西省科学技术厅支持,中国有色金属学会主办,南昌大学、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家硅基LED工程技术研究中心、半导体照明联合创新国家重点实验室共同承办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司协办,中微半导体、北方华创微电子、AIXTRON SE、隆兴达科技、昂坤视觉、华邦化学、中镓半导体、中晟光电、马尔文帕纳科、德仪、先普半导体、上海汇析、苏州纳维科技、阿美特克、维易科、中拓光电、颐光科技、桂林雷光等企业积极参与。会议围绕“MOCVD与智能光电”这一主题能够开展广泛交流,了解发展动态,促进相互合作。
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开幕式现场
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  江风益教授在介绍与会嘉宾代表时特别介绍,其中有一位业界资深教授自第一届全国MOCVD学术会议一直参加至今,他就是国内最先从事氮化镓蓝色LED发光材料研究(1972年起)和MOCVD技术研究(1982年起)的著名光电子专家,是中国LED研究应用的开拓者——范广涵教授。三十年的每次重逢,也是见证者。正是有这样诸多业界资深教授的参与和推动,见证了我国MOCVD技术与装备的发展。
 
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南昌大学刘军林教授
 
  南昌大学刘军林教授代表组委会介绍了本届会议筹办情况,他介绍说,本届会议为期三天,包含开闭幕式两场大会,激光器材料与器件、LED及探测器材料与器件、电力电子器件及其他器件及应用四个主题分会。其中邀请报告42个,口头报告73个。根据注册统计数据显示参会代表超过500人,来自国内外60余个单位机构。本届会议参收到论文投稿200余篇,经过专家评审有100篇优秀论文遴选为会议现场POSTER展示。
 
  中国有色金属学会副理事长兼秘书长张洪国,南昌大学校长周创兵教授,国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲女士,江西省科技厅副厅长赵金城先生,国家自然科学基金委信息四处处长潘庆先生和科技部高新司副司长曹国英先后为大会致开幕词。
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中国有色金属学会副理事长兼秘书长张洪国
 
  张洪国秘书长表示,MOCVD技术广泛应用于制备氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构,极大地推动了光电器件和电子器件的发展及产业化,也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。“全国MOCVD学术会议”作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台,自1989年第一届会议举办以来,已经成功举办了十四届,会议规模和影响力越来越大,成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。希望与会专家及青年学者、企业家们能通过会议了解发展动态,促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步及第三代半导体产业发展起到有力的推动作用。
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南昌大学校长周创兵教授
 
  周创兵教授致辞时表示,南昌大学MOCVD技术发展已有23年的历史。由于得到科技部、工信部、教育部、国家基金委等中央政府部门和江西省、南昌市、南昌高新区的大力支持,我校MOCVD事业得到了快速发展。从MOCVD设备的设计与制造、材料生长、芯片制作、器件封装、到产品应用和性能表征这6大块,我校均拥有一流的硬件条件和良好的技术积累。我校把MOCVD设备与工艺进行深度融合,把硅和氮化镓这两种材料有机结合,突破了氮化镓基LED材料和芯片制造技术,推出了高效节能、光束质量高的LED新光源,实现了产业化;继蓝光技术突破后,研制成功高铟组分、生产型MOCVD设备,由此创造了黄光LED光效新记录。今天,我校也带来了基于黄光LED的新产品,请技术人员展示一下。该路灯,没用荧光粉,其色调接近传统高压钠灯,其示范应用效果,得到了市政和市民好评。这一具有里程碑意义的新突破,将为LED和半导体照明技术和产业带来新的活力、拓展新的应用,将为我国经济的高质量发展作出新贡献。
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国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲